NITRURO DE INDIO-ALUMINIO (INALN): LAS CELDAS SOLARES DEL FUTURO

La aleación ternaria semiconductora de nitruro de indio y aluminio (InxAl1-xN) despierta
cada vez mayor interés en la industria, debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos
optoelectrónicos y fotovoltaicos. Debido a esto, en la última década han aumentado las
investigaciones de este interesante material, especialmente para su empleo en futuras
aplicaciones en celdas solares. En este libro presentamos las propiedades químicas, físicas,
estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de este semiconductor. El principal aporte
es usar diversas estrategias para obtenerlo a un costo menor respecto a los métodos
epitaxiales usados en celdas solares multiunión con eficiencia récord mundial. Para esto se
obtuvo el material tanto por magnetrón sputtering Radio Frequency como por sputtering
Direct Current; mediante el uso de un único blanco de InAl y a temperatura ambiente.
Asimismo, se sintetizaron películas amorfas, policristalinas y altamente cristalinas, lo cual
permite alto grado de versatilidad en la metodología propuesta.